Компания STMicroelectronics представляет новый MOSFET транзистор STW88N65M5 в семействе MDmesh™ V устанавливая новые рекорды

Последнее пополнение в семействе силовых полевых МОП-транзисторов (MOSFET) MDmesh™ V на базе лидирующей на сегодняшний день технологии Super-Junction (Супер-переход), устанавливает новый рекорд, позволяющий ещё больше повысить эффективность бытовых приборов и преобразователей солнечной энергии.

Женева, 20 декабря 2011 года - STMicroelectronics (обозначение Нью-Йоркской биржи: STM), глобальный лидер индустрии полупроводников, предоставляющий целый спектр услуг в области электроники, побил мировой рекорд высоковольтных мощных полевых МОП-транзисторов представлением нового члена семейства MDmesh V, уже лидировавшего в отрасли по эксплуатационным характеристикам, имеющего наилучшее сопротивление открытого канала на единицу площади кристалла для достижения наивысшей производительности и плотности мощности в классе устройств до 650В, что позволяет улучшить ключевые показатели эффективности более чем на 23%. Это является гигантским скачком в уменьшении тепловых потерь энергии в преобразователях электроэнергии, используемых в таких системах, как электронное управление освещением, блоки питания бытовых приборов и преобразователи солнечной энергии.

”Новый рекорд подчёркивает и укрепляет лидерство компании ST в области полевых МОП-транзисторов на базе технологии Super-Junction, в которой наши MDmesh V представляют последнее достижение хорошо зарекомендовавшей себя технологии Multi-Drain Mesh (мультистоковая ячейка – прим. пер.) компании ST”, ‑ сказал Маурицио Джудиче, директор по маркетингу отделения силовых транзисторов компании ST. “Повышенная производительность позволит снизить потребление энергии бытовыми приборами, что подтверждает обязательства компании ST по производству продукции, дружественной по отношению к окружающей среде, обеспечивая при этом высокую производительность путём проектирования и разработки инновационных продуктов”.

Ранее представленный полевой МОП-транзистор STW88N65M5 семейства MDmesh V обладает наименьшим в отрасли сопротивлением открытого канала 0.029 Ом для устройств класса до 650В в стандартном корпусе TO-247. Что улучшает предыдущий отраслевой стандарт, составляющий 0.038 Ом, также установленный устройствами MDmesh V. Это даёт возможность разработчикам конечных продуктов повышать энергоэффективность простой заменой полевых МОП-транзисторов с более высоким сопротивлением или использовать меньшее количество устройств параллельно и, таким образом, снизить габаритные размеры и затраты на материалы.

Запас прочности STW88N65M5 и других MDmesh V устройств фирмы ST в классе по напряжению до 650В является более высоким, чем у устройств класса до 600В конкурирующих производителей. Это повышает способность полевых МОП-транзисторов выдерживать всплески напряжения, обычно присутствующие в линиях переменного тока.

Новый STW88N65M5 уже доступен для заказа в корпусе TO-247, стоимость составляет 20$ в партии от 1000 шт.

Даташит: STW88N65M5